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EVEN TFE AOI
發(fā)布時(shí)間：2025-02-21 18:53 作者：admin 次數(shù)：次
詳細(xì)介紹
適用基于 8.6G代線 EVEN TFE AOI; 精度 2.0 [um]；節(jié)拍 90.0 [sec] Micro 檢測(cè)單元（B/F）、Micro 檢測(cè)單元2（D/F）回看單元、WSI單元
關(guān) 鍵 特 征
Micro CVD 檢測(cè)
-為CVD薄膜內(nèi)部顆粒檢測(cè)，增加特定的暗場(chǎng) 光學(xué)組件。
WSI高度測(cè)量和CVD缺陷檢查
-檢查CVD陰影缺陷（取樣），自動(dòng)更改取樣 位置。CVD顆粒高度的自動(dòng)測(cè)量。
關(guān) 鍵 特 征
Micro CVD 檢測(cè)
-為CVD薄膜內(nèi)部顆粒檢測(cè)，增加特定的暗場(chǎng) 光學(xué)組件。
WSI高度測(cè)量和CVD缺陷檢查
-檢查CVD陰影缺陷（取樣），自動(dòng)更改取樣 位置。CVD顆粒高度的自動(dòng)測(cè)量。
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